осаждение атомарных слоев

 

осаждение атомарных слоев
Осаждение атомарных слоев, метод осаждения, при котором осаждение каждого атомарного слоя материала управляется предварительно осажденным слоем исходного реагента; исходные реагенты и различные компоненты пленки вводятся попеременно; особенности метода – 100 %-ое покрытие за один этап и очень хорошая конформность; метод используется, например, при осаждении разных диэлектриков для создания МОП-затворов.
[http://www.cscleansystems.com/glossary.html]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• ALD
• atomic layer deposition